半導體制造應用臺式非接觸磁場測量高斯計

半導體制造應用臺式非接觸磁場測量高斯計

半導體制造應用 · 臺式 · 高斯/特斯拉 · 非接觸磁場
0.1 mG – 35 T · 0.01 % 精度 · 1 MHz 采樣 · 重量 2.1 kg · 5 年壽命

一、產品定位

• 半導體制造應用：離子注入、MOCVD、磁控濺射、磁夾具、晶圓搬運
• 臺式高斯計/特斯拉計：非接觸磁場測量，0.1 mG – 35 T，臺式 2.1 kg
• F71 系列：0.1 mG – 35 T，0.01 % 精度，1 MHz 采樣，5 年壽命

二、核心技術參數(shù)（F71）

三、功能亮點

1. 0.1 mG – 35 T 全范圍：從地球磁場到 35 T 全范圍，半導體磁場全覆蓋
2. 0.01 % 超高精度：0.01 % RDG，磁場重復性 ≤ 0.01 mG
3. 1 MHz 高速采樣：1 MHz 實時采樣，適合快速磁場變化
4. ≤ 1×10?? Pa 真空兼容：真空腔直接安裝，無泄漏
5. 2.1 kg 超輕：A5 底面積，可手提移動，實驗室即用
6. 5 年壽命：探頭 + 主機，5 年免維護

四、典型應用系統(tǒng)

半導體磁控濺射┌─ 真空腔體 ─┐│               │磁場← F71 ← 真空饋通 BNC│               │└─ PLC/DCS ────┘

• 磁場 0.1 T – 1 T，0.01 % 精度，1 MHz 實時
• RS-485 實時輸出，PLC 閉環(huán)控制

五、實測數(shù)據(jù)（半導體驗證）

• 真空：1×10?? Pa，25 ℃
• F71：
• 磁場 0.1 T（±0.01 %）
• 采樣 1 MHz（1 MHz）
• 壽命 5 年（連續(xù)運行）

六、選型與配件

七、維護與可靠性

• 探頭：5 年壽命，免維護
• BNC：年漂移 < 0.1 %，無需校準
• 真空饋通：每月清潔一次
• 整機 2 年質保，10 年配件保障